國立臺灣大學 重點技術平台

半導體製程重點技術平台

參考收費標準

收費項目 校內/學術單位 營利機構 備註
潔淨室 3元/分 6元/分

 

黃光區

收費項目 校內/學術單位 營利機構 備註
Spin Coater
(多段式、兩段式光阻旋轉塗佈機)
3元/分 6元/分
Karl Suss Aligner MA8
(6吋單面對準曝光機)
420(前30分鐘不計費)+11元/分
(即開機費420元)
840+22元/分
(即開機費840元)
Karl Suss Aligner MA6
(雙面對準曝光機)
350(前30分鐘不計費)+9元/分
(即開機費350元)
700(前30分鐘不計費)+18元/分
(即開機費700元)
Substrate Bonder
(晶片接合機)
60分鐘內510元
超過60分鐘:510+6元/分
60分鐘內1,020元
超過60分鐘:1,020+12元/分
Laser Pattern Generator
(雷射光罩製作系統)
8,400元 六吋
6,000元 五吋
5,400元 四吋
600元(審圖費/小時)
16,800元 六吋
12,000元 五吋
10,800元 四吋
1,200元(審圖費/小時)
特殊使用:
學界:250元/分;
業界:500元/分

 

爐管區

收費項目 校內/學術單位 營利機構 備註
APCVD 1,000+18-20元/分
(即開機費1,000元;依材料)
2,000+36-40元/分
(即開機費2,000元;依材料)
(未開放使用)
LPCVD 1,000+18-36元/分
(即開機費1,000元;依材料)
2,000+36-72元/分
(即開機費2,000元;依材料)
(未開放使用)
PECVD 
(電漿輔助化學氣相沉積系統)
600+30元/分
(即開機費350元)
1,200+60元/分
(即開機費1,200元)

 

蝕刻區

收費項目 校內/學術單位 營利機構 備註      
矽蝕刻-電感耦合電漿蝕刻機
ICP-RIE(SAMCO)
240(前5分鐘免費)+72元/分
(即開機費240元)
480(前5分鐘免費)+144元/分
(即開機費240元)
多材料蝕刻-電感耦合電漿蝕刻機
ICP-RIE(Oxford)
240(前5分鐘免費)+72元/分
(即開機費240元)
480(前5分鐘免費)+144元/分
(即開機費240元)
RIE(反應離子蝕刻機)
RIE(Oxford)
240+36元/分
(即開機費240元)
480+72元/分
(即開機費480元)
RIE介電材料 200+30元/分
(即開機費200元)
400+60元/分
(即開機費400元)
RIE光阻材料 240+36元/分
(即開機費200元)
480+72元/分
(即開機費480元)
 
RTA(快速退火爐) 120分鐘內900元;
超過120分鐘:900+6元/分
120分鐘內1,800元;
超過120分鐘:1,800+12元/分
 

 

薄膜區

收費項目 校內/學術單位 營利機構 備註   
E-beam Evaporator Metal major
(電子束蒸鍍機-金屬)
抽真空不計費,電子束開啟30分鐘內520元;
超過30分鐘: 520+6元/分
抽真空不計費,電子束開啟30分鐘內1,040元;
超過30分鐘: 1,040+12元/分
 
E-beam Evaporator Oxide major
(電子束蒸鍍機-氧化物)
抽真空不計費,電子束開啟30分鐘內520元;
超過30分鐘: 520+6元/分
抽真空不計費,電子束開啟30分鐘內1,040元;
超過30分鐘: 1,040+12元/分
 
Sputter(射頻濺鍍機) 抽真空不計費,電子束開啟30分鐘內520元;
超過30分鐘: 520+6元/分
抽真空不計費,電子束開啟30分鐘內1,040元;
超過30分鐘: 1,040+30元/分

 

分析區

收費項目 校內/學術單位 營利機構 備註      
SEM
(掃描式電子顯微鏡)
60分鐘內720元;
超過60分鐘:720+360元/30分
60分鐘內1,440元;
超過60分鐘:1,440+720元/30分
不足30分鐘以30分鐘計算
EDS
ICP-RIE(Oxford)
240元/30分 480元/30分 不足30分鐘以30分鐘計算
Sputter Coater
(SEM鍍金機)
300元/30分 600元/分
(即開機費480元)
不足30分鐘以30分鐘計算
表面輪廓儀 7元/分 14元/分
雷射共軛聚焦顯微鏡 7元/分 14元/分  
橢圓儀 7元/分 14元/分
半導體參數分析儀 7元/分 14元/分