Sui-An Chou, Chen Chang, Bo-Hong Wu, Chih-Piao Chuu, Pai-Chia Kuo, Liang-Hsuan Pan, Kai-Chun Huang, Man-Hong Lai, Yi-Feng Chen, Che-Lun Lee, Hao-Yu Chen, Jessie Shiue, Yu-Ming Chang, Ming-Yang Li, Ya-Ping Chiu, Chun-Wei Chen & Po-Hsun Ho

Nature Communications, 16,2777, (2025)

https://www.nature.com/articles/s41467-025-57986-1

由臺大材料系陳俊維特聘教授研究團隊，與台積電(TSMC)共同開發成長出具有大面積與低缺陷密度的單原子層與雙原子層鎢化硒 (WSe2) 材料。二維材料因為具有原子層的厚度(小於1奈米)，被期待是相當具有潛力的下世代半導體材料。其中傳輸電子的n-型二維半導體MoS2的研究，已有相當多的研究報導。然而目前最需要克服突破的關鍵點之一，即是大面積成長p-型電洞傳輸為主的二維半導體材料。本研究成功成長具有大面積與低缺陷密度的單原子層與雙原子層鎢化硒 (WSe2) 材料，並製作成高效能的p-型電洞傳輸為主的電晶體元件。並發現雙原子層(bilayer)鎢化硒具有更高的載子遷移率(Mobility)。此研究成果，對於未來二維材料於下世代半導體的研究，具有相當重要的意義。